Cumu espansione u currente di driver IGBT?

Circuitu di driver di semiconductor di putenza hè una subcategoria impurtante di circuiti integrati, putente, utilizatu per IC di driver IGBT in più di furnisce u livellu di l'accionamentu è u currente, spessu cù funzioni di prutezzione di l'unità, cumpresa a prutezzione di cortu circuitu di desaturazione, arrestu di undervoltage, clamp Miller, arrestu in dui fasi. , Soft shutdown, SRC (slew rate control), etc. I prudutti anu ancu diversi livelli di rendiment d'insulation.Tuttavia, cum'è un circuit integratu, u so pacchettu determina u cunsumu massimu di putenza, u currente di uscita di u driver IC pò esse più di 10A in certi casi, ma ùn pò ancu risponde à i bisogni di guida di i moduli IGBT d'alta corrente, stu documentu discuterà a guida IGBT. espansione attuale è attuale.

Cumu espansione u currente di u driver

Quandu u currente di l'accionamentu deve esse aumentatu, o quandu guidanu IGBTs cù un altu currente è una grande capacità di porta, hè necessariu espansione u currente per u driver IC.

Utilizà transistori bipolari

U disignu più tipicu di u driver di porta IGBT hè di realizà l'espansione attuale utilizendu un seguitu di emettitore cumplementari.U currente di uscita di u transistor di seguitu di emettitore hè determinatu da u guadagnu DC di u transistor hFE o β è a corrente di basa IB, quandu u currente necessariu per guidà IGBT hè più grande di IB * β, allora u transistor entrerà in l'area di travagliu lineare è l'output. A corrente di u drive hè insufficiente, allora a velocità di carica è scaricamentu di u condensatore IGBT diventerà più lenta è e perdite IGBT aumentanu.

Utilizà MOSFET

MOSFET pò ancu esse usatu per l'espansione attuale di u driver, u circuitu hè generalmente cumpostu di PMOS + NMOS, ma u livellu logicu di a struttura di u circuitu hè u cuntrariu di u transistor push-pull.U disignu di a fonte PMOS di u tubu superiore hè cunnessu à l'alimentazione pusitiva, a porta hè più bassu di a fonte di una tensione PMOS data, è l'output IC di u driver hè generalmente attivu di altu livellu, cusì l'usu di a struttura PMOS + NMOS. pò esse bisognu di un inverter in u disignu.

Cù transistori bipolari o MOSFET?

(1) Differenzi di efficienza, di solitu in l'applicazioni d'alta putenza, a freccia di cunversione ùn hè micca assai alta, cusì a perdita di cunduzzione hè u principale, quandu u transistor hà u vantaghju.Parechji disinni di densità di putenza attuale, cum'è i motori di i veiculi elettrici, induve a dissipazione di u calore hè difficiule è a temperatura hè alta in u casu chjusu, quandu l'efficienza hè assai impurtante è i circuiti di transistor ponu esse scelti.

(2) L'output di a suluzione di transistor bipolari hà una caduta di tensione causata da VCE (sat), a tensione di fornitura deve esse aumentata per cumpensà u tubu di trasmissione VCE (sat) per ottene una tensione di u drive di 15V, mentre chì a suluzione MOSFET pò guasi ottene un output rail-to-rail.

(3) MOSFET resiste à a tensione, VGS solu circa 20V, chì pò esse un prublema chì deve esse attentu quandu si usa alimentazione positiva è negativa.

(4) I MOSFET anu un coefficient di temperatura negativu di Rds (on), mentre chì i transistors bipolari anu un coefficient di temperatura pusitivu, è i MOSFET anu un prublema termale runaway quandu cunnessi in parallelu.

(5) Se guidanu MOSFET Si / SiC, a velocità di cunversione di transistor bipolari hè di solitu più lenta di l'ughjettu MOSFET di guida, chì deve esse cunsideratu per utilizà MOSFET per allargà u currente.

(6) A robustezza di u stadiu di input à l'ESD è a surge voltage, u transistor bipolari PN junction hà un vantaghju significativu cumparatu à l'ossidu di porta MOS.

I transistors bipolari è e caratteristiche MOSFET ùn sò micca listessi, ciò chì aduprà o avete bisognu di decide per sè stessu in cunfurmità cù i requisiti di cuncepimentu di u sistema.

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