A selezzione di u dispositivu MOSFET per cunsiderà tutti l'aspetti di i fatturi, da i chjuchi à sceglie N-tipu o P-tipu, tipu di pacchettu, grande à tensione MOSFET, resistenza, etc., diverse esigenze di applicazione varienu.L'articulu seguente riassume a selezzione di u dispositivu MOSFET di e regule maiò di 3, crede chì dopu avè lettu avete assai.
1. Power MOSFET selezzione passu unu: P-tube, o N-tube?
Ci sò dui tipi di MOSFET di putenza: N-canale è P-canale, in u prucessu di cuncepimentu di u sistema per selezziunà u N-tube o P-tube, à l'applicazione attuale specifica per sceglie, MOSFET N-canale per sceglie u mudellu, low cost;P-channel MOSFETs à sceglie u mudellu menu, altu costu.
Sè a tensione à a cunnessione S-pole di a putenza MOSFET ùn hè micca a terra di riferimentu di u sistema, u N-canale hè bisognu di una unità di alimentazione di terra flottante, di trasfurmazioni di trasfurmazioni o di unità di bootstrap, cumplessu di circuitu di unità;U canali P pò esse guidatu direttamente, cunduce simplice.
Bisognu di cunsiderà l'applicazioni N-canale è P-canale sò principalmente
a.Computer notebook, desktop è servitori utilizati per dà u CPU è u sistema di raffreddamentu di u ventilatore, u sistema di alimentazione di l'impresora, l'aspiratori, i purificatori d'aria, i ventilatori elettrici è altri circuiti di cuntrollu di u mutore di l'apparecchi di casa, sti sistemi utilizanu una struttura di circuitu di ponte pienu, ogni bracciu di ponte. nant'à u tubu pò aduprà P-tube, pò dinù aduprà N-tube.
b.Sistema di cumunicazione 48V sistema di input di MOSFET hot-plug pusatu à u high end, pudete aduprà P-tubi, pudete puru aduprà N-tubi.
c.Circuitu di input di computer notebook in serie, ghjucà u rolu di cunnessione anti-reverse è cambiendu di carica dui MOSFET di putenza back-to-back, l'usu di N-channel bisognu di cuntrullà a pompa di carica interna di chip integrata, l'usu di P-channel pò esse guidatu direttamente.
2. Selezzione di tipu pacchettu
Power MOSFET tippu di canali per determinà u sicondu passu per determinà u pacchettu, i principii di selezzione di pacchettu sò.
a.L'aumentu di a temperatura è u disignu termale sò i requisiti più basi per selezziunà u pacchettu
Diverse dimensioni di pacchettu anu una resistenza termica è una dissipazione di energia differente, in più di cunsiderà e cundizioni termiche di u sistema è a temperatura di l'ambienti, cum'è s'ellu ci hè rinfrescante d'aria, forma di dissipatore di calore è restrizioni di dimensione, se l'ambiente hè chjusu è altri fattori, u principiu di basi hè à assicurà l 'aumentu di a temperatura di u MOSFET putenza è efficienza sistemu, a premessa di selezziunà paràmetri è pacchettu MOSFET putere più generale.
Calchì volta per via di altre cundizioni, a necessità di utilizà parechje MOSFET in parallelu per risolve u prublema di dissipazione di calore, cum'è in applicazioni PFC, cuntrolli di mutori di veiculi elettrichi, sistemi di cumunicazione, cum'è l'applicazioni di rettifica sincrona sincrona secondaria di l'alimentazione di modulu, sò selezziunati in parallele cù più tubi.
Se a cunnessione parallela multi-tube ùn pò esse usata, in più di selezziunà un MOSFET di putenza cù un rendimentu megliu, in più, un pacchettu di grandezza più grande o un novu tipu di pacchettu pò esse usatu, per esempiu, in certi alimentazione AC / DC TO220. esse cambiatu à u pacchettu TO247;in certi suministru di u sistema di cumunicazione, u novu pacchettu DFN8 * 8 hè adupratu.
b.Limitazione di dimensione di u sistema
Certi sistemi elettroni sò limitati da a dimensione di u PCB è l'altitudine di l'internu, cum'è u modulu di alimentazione di i sistemi di cumunicazione per via di l'altitudine di e restrizioni di solitu usanu DFN5 * 6, DFN3 * 3 package;in certi ACDC power supply, l 'usu di disignu ultra-thin o à causa di i limitazioni di u cunchiglia, assemblea TO220 pacchettu power MOSFET pins direttamente in a ràdica, l' altezza di i ristrizzione ùn pò aduprà TO247 pacchettu.
Qualchì disignu ultra-sottile curva direttamente i pins di u dispositivu flat, stu prucessu di produzzione di disignu diventerà cumplessu.
In u disignu di una scheda di prutezzione di a batteria di litio di grande capacità, per via di e restrizioni di dimensione estremamente dure, a maiò parte ora usa un pacchettu CSP à livellu di chip per migliurà u rendiment termicu quantu pussibule, assicurendu a dimensione più chjuca.
c.Cuntrolu di costu
I primi parechji sistemi elettronichi chì utilizanu pacchettu plug-in, sti anni per via di l'automatizazione di i costi di u travagliu, parechje cumpagnie cuminciaru à passà à u pacchettu SMD, ancu s'è u costu di saldatura di SMD chì plug-in altu, ma l'altu gradu di automatizazione di saldatura SMD, u u costu generale pò ancu esse cuntrullatu in una gamma raghjone.In alcune applicazioni, cum'è e schede madri di desktop è schede chì sò estremamente sensibili à i costi, i MOSFET di putenza in i pacchetti DPAK sò generalmente usati per via di u prezzu bassu di stu pacchettu.
Dunque, in a selezzione di u pacchettu MOSFET di putenza, per unisce u so propiu stile di a cumpagnia è e caratteristiche di u produttu, tenendu in contu i fatturi sopra.
3. Selezziunà a resistenza RDSON nantu à u statu, nota: micca currente
Parechje volte ingegneri sò preoccupati di RDSON, perchè RDSON è a perdita di cunduzzione hè direttamente ligata, u più chjucu u RDSON, u più chjucu a perdita di cunduzzione MOSFET di putenza, u più altu l'efficienza, u più bassu l'aumentu di a temperatura.
In u listessu modu, ingegneri quantu pussibule per seguità u prughjettu precedente o i cumpunenti esistenti in a biblioteca di materiale, per u RDSON di u metudu di selezzione reale ùn hà micca assai di cunsiderà.Quandu l'aumentu di a temperatura di a putenza selezziunata MOSFET hè troppu bassu, per ragioni di costu, cambierà à RDSON cumpunenti più grande;quandu l'aumentu di a temperatura di u MOSFET putenza hè troppu altu, l'efficienza di u sistema hè bassu, cambierà à RDSON cumpunenti più chjuchi, o ottimizendu u circuitu di u drive esternu, migliurà u modu per aghjustà a dissipazione di calore, etc.
S'ellu hè un prughjettu novu marca, ùn ci hè micca prughjetti nanzu à seguità, allura comu a selezziunà u putere MOSFET RDSON? Eccu un mètudu à presentà à voi: lu mètudu di distribuzione cunsumu putenza.
Quandu cuncepimentu di un sistema di alimentazione, e cundizioni cunnisciute sò: gamma di tensione d'ingressu, tensione di output / current output, efficienza, frequenza operativa, tensione di u drive, di sicuru, ci sò altri indicatori tecnichi è MOSFET di putenza ligati principarmenti à questi paràmetri.I passi sò i seguenti.
a.Sicondu a gamma di tensione di input, tensione di output / current output, efficienza, calculate a perdita massima di u sistema.
b.Perditi spurious circuit Power, cumpunenti circuit non-putere pèrdite statica, IC perditi statica è perdite drive, per fà una stima approssimativa, u valore empiricu pò cuntà 10% à 15% di i perditi tutali.
Se u circuitu di putenza hà una resistenza di campionamentu attuale, calculate u cunsumu di energia di a resistenza di campionamentu attuale.Perdita tutale minus sti perditi sopra, a parte restante hè u dispusitivu di putenza, trasformatore o perdita di putenza inductor.
A perdita di putenza rimanenti serà attribuita à u dispusitivu di putenza è u transformatore o induttore in una certa proporzione, è s'ellu ùn site micca sicuru, a distribuzione media da u numeru di cumpunenti, per avè a perdita di energia di ogni MOSFET.
c.A perdita di putenza di u MOSFET hè attribuita à a perdita di commutazione è a perdita di cunduzzione in una certa proporzione, è se incerta, a perdita di commutazione è a perdita di cunduzzione sò attribuite ugualmente.
d.Per a perdita di cunduzzione MOSFET è u flussu di corrente RMS, calculate a resistenza massima di cunduzzione permessa, sta resistenza hè u MOSFET à a temperatura massima di junction RDSON.
Scheda di dati in u putere MOSFET RDSON marcatu cù una cundizioni di prova definitu, in diverse cundizioni definiti hannu valori differente, a temperatura di prova: TJ = 25 ℃, RDSON hà un coefficient di temperatura pusitivu, cusì secondu a più alta temperatura di junction operativa di u MOSFET è Coefficient di temperatura RDSON, da u valore calculatu RDSON sopra, per ottene u RDSON currispundente à a temperatura di 25 ℃.
e.RDSON da 25 ℃ per selezziunà u tipu adattatu di MOSFET di putenza, secondu i paràmetri attuali di u MOSFET RDSON, trim down o up.
À traversu i passi sopra, a selezzione preliminare di u mudellu MOSFET di putenza è i paràmetri RDSON.
Questu articulu hè estratto da a reta, per piacè cuntattateci per sguassà l'infrazione, grazie!
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