I difetti di imballaggio includenu principalmente deformazione di piombo, offset di basa, deformazione, rottura di chip, delaminazione, vuoti, imballaggio irregolare, bave, particelle straniere e polimerizzazione incompleta, ecc.
1. Deformazione di piombu
A deformazione di u piombu si riferisce generalmente à u spustamentu di u piombu o a deformazione causata durante u flussu di u sigillante plasticu, chì hè generalmente spressione da u rapportu x / L trà u muvimentu laterale massimu di piombo x è a lunghezza di piombo L. A curvatura di piombo pò purtà à shorts elettrici (in particulare in pacchetti di dispositivi I/O ad alta densità).A volte i stressi generati da a curvatura ponu purtà à cracking di u puntu di ligame o una riduzione di a forza di ligame.
I fattori chì affettanu u ligame di piombu includenu u disignu di u pacchettu, u layout di piombo, u materiale è a dimensione di piombo, e proprietà di plastica di stampa, u prucessu di ligame di piombo è u prucessu di imballaggio.I paràmetri di piombu chì affettanu a curvatura di u piombu includenu u diametru di u piombu, a lunghezza di u piombu, a carica di rottura di u piombu è a densità di piombu, etc.
2. Offset di basa
L'offset di basa si riferisce à a deformazione è l'offset di u trasportatore (base di chip) chì sustene u chip.
Fatturisti chì affettanu u cambiamentu di basa includenu u flussu di u compostu di moldura, u disignu di l'assemblea di leadframe, è e proprietà di materiale di u compostu di molding è leadframe.Pacchetti cum'è TSOP è TQFP sò suscettibili à u cambiamentu di basa è a deformazione di pin per via di i so frames di piombo sottili.
3. Warpage
Warpage hè a curvatura è a deformazione fora di u pianu di u dispusitivu di pacchettu.Warpage causatu da u prucessu di muffa pò purtà à una quantità di prublemi di affidabilità cum'è delamination è chip cracking.
Warpage pò ancu purtà à una varietà di prublemi di fabricazione, cum'è in i dispositi PBGA (plastized ball grid array), induve a warpage pò purtà à una scarsa coplanarità di bola di saldatura, causendu prublemi di piazzamentu durante u riflussu di u dispusitivu per l'assemblea à un circuitu stampatu.
I mudelli di Warpage includenu trè tippi di mudelli: cuncavi in internu, cunvessi esterni è cumminati.In l'imprese di semiconduttori, u cuncavu hè qualchì volta chjamatu "faccia sorridente" è cunvessu cum'è "faccia chianciuta".E cause principali di warpage includenu CTE discrepanza è cure / compression shrinkage.L'ultime ùn hà micca ricivutu assai attenzione à u principiu, ma una ricerca approfondita hà revelatu chì u shrinkage chimicu di u compostu di molding ghjoca ancu un rolu impurtante in u warpage di u dispositivu IC, soprattuttu in pacchetti cù diversi spessori nantu à a cima è u fondu di u chip.
Duranti u prucessu di curing è post-curing, u compostu di molding subirà una ritirata chimica à alta temperatura di curazione, chì hè chjamata "retrazione termochimica".A ritirata chimica chì si trova durante a curazione pò esse ridutta aumentendu a temperatura di transizione di vetru è riducendu u cambiamentu di u coefficient di espansione termica intornu à Tg.
Warpage pò ancu esse causatu da fatturi cum'è a cumpusizioni di u compostu di mudificazione, l'umidità in u compostu di mudificazione, è a geometria di u pacchettu.Per cuntrullà u materiale di stampatura è a cumpusizioni, i paràmetri di prucessu, a struttura di u pacchettu è l'ambiente di pre-incapsulazione, a deformazione di u pacchettu pò esse minimizzata.In certi casi, u warpage pò esse compensatu da l'incapsulazione di a parte posteriore di l'assemblea elettronica.Per esempiu, se e cunnessione esterne di un grande tavulinu di ceramica o multilayer sò nantu à u stessu latu, l'incapsulate nantu à a parte posteriore pò riduce a warpage.
4. Ruttura di chip
I stress generati in u prucessu di imballaggio ponu purtà à a rottura di chip.U prucessu di imballaggio generalmente aggravate i micro-cracks furmatu in u prucessu di assemblea precedente.Wafer o chip thinning, backside grinding, and chip bonding sò tutti i passi chì ponu purtà à a crescita di crepe.
Un chip cracked, meccanicamente fallutu ùn porta micca necessariamente à fallimentu elettricu.Ch'ella sia una rupture di chip hà da risultatu in un fallimentu elettricu istantaneu di u dispusitivu dipende ancu da a strada di crescita di crack.Per esempiu, se u crack appare nantu à a parte posteriore di u chip, ùn pò micca affettà e strutture sensittivi.
Perchè i wafers di silicone sò sottili è fragili, l'imballaggi à livellu di wafer sò più suscettibili à a rottura di chip.Per quessa, i paràmetri di u prucessu, cum'è a pressione di clamping è a pressione di transizione di muffa in u prucessu di trasferimentu, deve esse strettamente cuntrullati per impedisce a rupture di chip.I pacchetti impilati 3D sò propensi à a rottura di chip per via di u prucessu di stacking.I fatturi di cuncepimentu chì affettanu a rottura di chip in i pacchetti 3D includenu a struttura di stack di chip, u grossu di u sustrato, u voluminu di moldura è u spessore di a manica di u muffa, etc.
Tempu di Postu: Feb-15-2023